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PSMN2R0-60ES,127  与  IPI032N06N3 G  区别

型号 PSMN2R0-60ES,127 IPI032N06N3 G
唯样编号 A-PSMN2R0-60ES,127 A-IPI032N06N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.3mΩ
上升时间 - 120ns
Qg-栅极电荷 - 165nC
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 75S
封装/外壳 SOT226 -
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 120A
配置 - Single
输入电容 9997pF -
长度 - 10.2mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 20ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 118µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 13000pF @ 30V
高度 - 9.45mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 338W 188W
输出电容 1210pF -
典型关闭延迟时间 - 62ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
Rds On(max)@Id,Vgs 2.2mΩ@10V -
典型接通延迟时间 - 35ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 165nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R0-60ES,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R0-60ES_SOT226 N-Channel 338W 175℃ 3V 60V 120A

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